应用笔记
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在同一条
I
2
C
总线上挂接多个
DS1859
器件
摘要:在某些应用中要求多个
DS1859
器件挂接在同一条
I
2
C
总线上。本应用笔记阐述了在一条
I
2
C
总线上同时接两
个
DS1859
器件时,如何改变其中一个器件的
I
2
C
从地址。所给出的方法可推广应用于一条
I
2
C
总线接多个
DS1859
的情况。本应用笔记还讨论了如何访问器件的辅助从地址。
引言
DS1859
双路、温控电阻不允许用户通过外部引脚改变其
I
2
C
从地址。相反,器件为主存储器提供可编程
I
2
C
从地
址。在具体应用中,一条
I
2
C
总线可能需要接多个
DS1859
器件。由于所有
DS1859
出厂时的缺省
I
2
C
从地址都相
同,因此,这些器件与
I
2
C
总线连接时,必须改变其中一个或多个器件的从地址。
本应用笔记阐述了同一条
I
2
C
总线上接两个
DS1859
时,如何改变其中一个器件的
I
2
C
从地址。这一方法可推广应用
于挂接多个器件的情况。本文假定用户可根据需要将
DS1859
的
WPEN
引脚转换为逻辑高电平或逻辑低电平。
DS1859
的独特之处还在于每个器件有两个从地址,其中一个可编程地址用来访问主存储器,另一个固定地址
(A0h)
用来访问辅助存储器。在本文的最后将讨论如何访问辅助存储器。
在同一条
I
2
C
总线上挂接两个
DS1859
当同一条
I
2
C
总线上接两个
DS1859
时,必须改变其中一个器件的从地址,另一个器件则保持其缺省地址
(A2h)
不
变。可通过以下步骤来实现这一点。
1.
将一个
DS1859 (
器件
1)
的
WPEN
引脚驱动至信号地。
2.
将另一个
DS1859 (
器件
2)
的
WPEN
引脚驱动至高电平。
3.
将器件
2
的
MPEN
位置为高
(
从器件地址
A2h
,表
01h
,寄存器
89h
,第
2
位
)
。该设置对两个器件的
MPEN
位都有效,但是由于器件
1
的
WPEN
引脚接地,因此只有器件
2
被写保护。该步骤之后所有对从地
址
A2h
的写操作都仅对器件
1
产生影响。
4.
将器件
1
的从地址设置为任何期望的数值
(00h – FEh
,
A2h
除外
)
。进行编程设置时,采用从地址
A2h
,表
01h
,字节
8Ch
。
5.
将器件
1
的
ADFIX
位置为高
(
从地址
A2h
,表
01h
,寄存器
89h
,第
4
位
)
。
6.
器件
1
的从地址即配置为第
5
步所指定的地址。
7.
然后
WPEN
引脚可被驱动至需要的逻辑电平,此时可以将
MPEN
位恢复至缺省值
(0b)
。
系统中连接多个
DS1859
上述步骤也适用于同一条
I
2
C
总线接多个
DS1859
的情况。此时,除了某个从地址需要改变的器件外,所有器件均被
置为写保护。
访问辅助存储器
用户应该注意,只有主器件地址能被改变。而所有器件的辅助存储器地址不能改变,仍然保持为
A0h
。
I
2
C
总线上只
能有一个器件通过地址
A0h
访问辅助存储器。然而,用户可置位其它器件的
ADEN
位,并通过主器件地址及表
00h
来访问其它器件的辅助存储器。
结论
如果
I
2
C
总线上连接了多个
DS1859 (
具有相同的缺省
I
2
C
地址
)
,并且这些器件已焊接在系统
PCB
上时,本应用笔
记对如何改变这些器件的
I
2
C
从地址进行了阐述。
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