应用笔记

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在同一条

I

2

C

总线上挂接多个

DS1859

器件

摘要：在某些应用中要求多个

DS1859

器件挂接在同一条

I

2

C

总线上。本应用笔记阐述了在一条

I

2

C

总线上同时接两

个

DS1859

器件时，如何改变其中一个器件的

I

2

C

从地址。所给出的方法可推广应用于一条

I

2

C

总线接多个

DS1859

的情况。本应用笔记还讨论了如何访问器件的辅助从地址。

引言

DS1859

双路、温控电阻不允许用户通过外部引脚改变其

I

2

C

从地址。相反，器件为主存储器提供可编程

I

2

C

从地

址。在具体应用中，一条

I

2

C

总线可能需要接多个

DS1859

器件。由于所有

DS1859

出厂时的缺省

I

2

C

从地址都相

同，因此，这些器件与

I

2

C

总线连接时，必须改变其中一个或多个器件的从地址。

本应用笔记阐述了同一条

I

2

C

总线上接两个

DS1859

时，如何改变其中一个器件的

I

2

C

从地址。这一方法可推广应用

于挂接多个器件的情况。本文假定用户可根据需要将

DS1859

的

WPEN

引脚转换为逻辑高电平或逻辑低电平。

DS1859

的独特之处还在于每个器件有两个从地址，其中一个可编程地址用来访问主存储器，另一个固定地址

(A0h)

用来访问辅助存储器。在本文的最后将讨论如何访问辅助存储器。

在同一条

I

2

C

总线上挂接两个

DS1859

当同一条

I

2

C

总线上接两个

DS1859

时，必须改变其中一个器件的从地址，另一个器件则保持其缺省地址

(A2h)

不

变。可通过以下步骤来实现这一点。

1.

将一个

DS1859 (

器件

1)

的

WPEN

引脚驱动至信号地。

2.

将另一个

DS1859 (

器件

2)

的

WPEN

引脚驱动至高电平。

3.

将器件

2

的

MPEN

位置为高

(

从器件地址

A2h

，表

01h

，寄存器

89h

，第

2

位

)

。该设置对两个器件的

MPEN

位都有效，但是由于器件

1

的

WPEN

引脚接地，因此只有器件

2

被写保护。该步骤之后所有对从地

址

A2h

的写操作都仅对器件

1

产生影响。

4.

将器件

1

的从地址设置为任何期望的数值

(00h – FEh

，

A2h

除外

)

。进行编程设置时，采用从地址

A2h

，表

01h

，字节

8Ch

。

5.

将器件

1

的

ADFIX

位置为高

(

从地址

A2h

，表

01h

，寄存器

89h

，第

4

位

)

。

6.

器件

1

的从地址即配置为第

5

步所指定的地址。

7.

然后

WPEN

引脚可被驱动至需要的逻辑电平，此时可以将

MPEN

位恢复至缺省值

(0b)

。

系统中连接多个

DS1859

上述步骤也适用于同一条

I

2

C

总线接多个

DS1859

的情况。此时，除了某个从地址需要改变的器件外，所有器件均被

置为写保护。

访问辅助存储器

用户应该注意，只有主器件地址能被改变。而所有器件的辅助存储器地址不能改变，仍然保持为

A0h

。

I

2

C

总线上只

能有一个器件通过地址

A0h

访问辅助存储器。然而，用户可置位其它器件的

ADEN

位，并通过主器件地址及表

00h

来访问其它器件的辅助存储器。

结论

如果

I

2

C

总线上连接了多个

DS1859 (

具有相同的缺省

I

2

C

地址

)

，并且这些器件已焊接在系统

PCB

上时，本应用笔

记对如何改变这些器件的

I

2

C

从地址进行了阐述。

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