场效应晶体管或FET是晶体管，其中输出电流由电场控制。FET有时被称为单极晶体管，因为它涉及单载波型操作。FET晶体管的基本类型与BJT 晶体管基础完全不同。FET是三端子半导体器件，具有源极，漏极和栅极端子。

电荷载流子是电子或空穴，它们通过有源沟道从源极流到漏极。从源极到漏极的这种电子流由施加在栅极和源极端子上的电压控制。

FET晶体管的类型

FET有两种类型–JFET或MOSFET。

结FET晶体管是一种场效应晶体管，可用作电控开关。电能流过源极与漏极端子之间的有源沟道。通过向栅极端子施加反向偏压，沟道变形，从而完全切断电流。

结FET晶体管有两种极性：

N-沟道JFET

N沟道JFET由n型棒构成，在其两侧掺杂有两个p型层。电子通道构成器件的N通道。在N沟道器件的两端形成两个欧姆接触，它们连接在一起形成栅极端子。

源极和漏极端子取自棒的另外两侧。源极和漏极端子之间的电位差称为Vdd，源极和栅极端子之间的电位差称为Vgs。电荷流动是由于电子从源极到漏极的流动。

每当在漏极和源极端子上施加正电压时，电子从源极“S”流到漏极“D”端子，而传统的漏极电流Id流过漏极到源极。当电流流过器件时，它处于导通状态。

当负极性电压施加到栅极端子时，在沟道中产生耗尽区。沟道宽度减小，因此增加了源极和漏极之间的沟道电阻。由于栅极源极结是反向偏置的，并且器件中没有电流流动，因此它处于关闭状态。

因此，基本上如果在栅极端子处施加的电压增加，则较少量的电流将从源极流到漏极。

N沟道JFET具有比P沟道JFET更大的导电性。因此，与P沟道JFET相比，N沟道JFET是更有效的导体。

P沟道JFET

trzvp2106P沟道JFET由P型棒构成，在其两侧掺杂n型层。通过在两侧连接欧姆接触来形成栅极端子。与N沟道JFET一样，源极和漏极端子取自棒的另外两侧。在源极和漏极端子之间形成由作为电荷载流子的空穴组成的AP型沟道。

施加到漏极和源极端子的负电压确保从源极到漏极端子的电流流动，并且器件在欧姆区域中操作。施加到栅极端子的正电压确保了沟道宽度的减小，从而增加了沟道电阻。更正的是栅极电压; 流过设备的电流越少。

MOSFET晶体管

MOSFET晶体管顾名思义是p型（n型）半导体棒（具有扩散到其中的两个重掺杂n型区域），其表面上沉积有金属氧化物层，并且从该层取出空穴以形成源极和漏极端子。在氧化物层上沉积金属层以形成栅极端子。场效应晶体管的基本应用之一是使用MOS晶体管作为开关。

这种类型的FET晶体管具有三个端子，即源极，漏极和栅极。施加到栅极端子的电压控制从源极到漏极的电流流动。金属氧化物绝缘层的存在导致器件具有高输入阻抗。

基于工作模式的MOSFET晶体管类型

MOSFET晶体管是最常用的场效应晶体管类型。MOSFET工作以两种模式实现，基于哪种MOSFET晶体管被分类。增强模式下的MOSFET工作包括逐渐形成沟道，而在耗尽型MOSFET中，它由已经扩散的沟道组成。MOSFET的高级应用是CMOS。

增强型MOSFET晶体管

当负电压施加到MOSFET的栅极端子时，带正电荷的载流子或空穴在氧化物层附近更多地累积。从源极到漏极端子形成沟道。

随着电压变得更负，沟道宽度增加并且电流从源极流到漏极端子。因此，随着施加的栅极电压的电流“增强”，该器件被称为增强型MOSFET。

耗尽型MOSFET晶体管

耗尽型MOSFET由在漏极 – 源极端子之间扩散的沟道组成。在没有任何栅极电压的情况下，由于沟道，电流从源极流向漏极。

当该栅极电压为负时，正电荷在沟道中累积。

这导致通道中的耗尽区域或不动电荷区域并阻碍电流的流动。因此，当耗尽区的形成影响电流时，该器件称为耗尽型MOSFET。

涉及MOSFET作为开关的应用

控制BLDC电机的速度

MOSFET可用作开关以操作DC电机。这里使用晶体管来触发MOSFET。来自微控制器的PWM信号用于接通或断开晶体管。

来自微控制器引脚的逻辑低电平信号导致OPTO耦合器工作，在其输出端产生高逻辑信号。PNP晶体管截止，因此MOSFET被触发并接通。漏极和源极端子短路，电流流向电动机绕组，使其开始旋转。PWM信号确保电机的速度控制。

驱动系列LED:

作为开关的MOSFET操作涉及应用控制LED阵列的强度。这里，由来自外部源（如微控制器）的信号驱动的晶体管用于驱动MOSFET。当晶体管关断时，MOSFET获得电源并接通，从而为LED阵列提供适当的偏置。

使用MOSFET开关灯：

MOSFET可用作开关来控制灯的开关。此外，MOSFET也使用晶体管开关触发。来自外部源（如微控制器）的PWM信号用于控制晶体管的导通，因此MOSFET接通或断开，从而控制灯的开关。

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