内存的基本构架和固态硬盘发热构架完全不同，固态硬盘的存储芯片是非易失性存储介质（NVRAM），也就是没有电源后内部存储的数据不会丢失。NAND型闪存为例，它的随机存取速度慢，而且写入数据之前还要对区块进行擦除，使得写速度仅有读取速度的1/2~1/4，这种现象在目前广泛使用的MLC NAND上更加严重。

此外，NAND的寿命也难以令人满意，一般SLC型NAND可以承受10万次左右读写，而MLC型NAND则更低。
内存是双倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又简称DDR，由于它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。

DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些，但仍要远小于Rambus的价格，因为制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与Rambus相抗衡的内存发展的一个方向。

内存也固态硬盘的区别就是停电了固态硬盘里的数据不会丢失而内存的数据就会消失。而且底层构架不同也就决定了存储速率的差别。